圧電体には、荷重印加時に電荷を発生する正圧電効果と、電圧印加時にひずみが発生する逆圧電効果があります。
これらは圧電体の基本的な性質を知るための重要な特性です。
リードテクノは、正圧電効果、逆圧電効果、どちらも簡単に高精度に計測する測定装置をご提供いたします。
<正圧電効果測定> ピエゾリーダー
正圧電効果(d33)の測定には、振動荷重をかけて発生する電荷を測定する「d33メーター」と呼ばれる測定器が一般的です。
当社開発の「ピエゾリーダー」は、高精度センサーによる微小荷重制御と微小発生電荷測定ができ、簡単に高精度なd33測定が可能です。
荷重の制御により、荷重v.s.電荷の関係がダイレクトに測定でき、材料ごとに最適荷重条件の設定ができます。
専用アタッチメント使用で圧電横効果のd31測定も可能です。
これら特徴を活かし、セラミックスはもちろん、柔らかくて変形しやすい高分子やゴム材料、発生電荷が微小な薄膜なども計測が可能で、圧電薄膜ウエハの非破壊検査装置に「ピエゾリーダー」が利用されております。
仕様
・測定レンジ:1~10,000pC/N
(最少レンジ: 分解能:0.01pC/N)
・荷重計測:Max.8N (分解能: 0.01N)
・周波数:0.1~200Hz
・温度範囲:室温~400℃
(別途温調装置使用の場合)
<逆圧電効果測定> PESEテスター
電圧を印加して圧電体自体の歪みを測定することで、電界-歪曲線(S-Eカーブ)を得ることができ、逆圧電効果の算出が可能です。
同時にチャージアンプを使用して電荷の出入りを測定することで、分極ヒステリシス(P-Eカーブ)を得ることができ、抗電界(Ec)、飽和分極(Pmax)、残留分極(Pr)を算出することが可能です。
歪測定は、接触式の変位センサー、非接触のレーザ変位計、レーザードップラ―変位計などの仕様が可能です。
変位計、電源の組み合わせで、高周波領域での測定にも対応可能で可能になり、従来のバルクセラミックスのみならず、バイモルフ形状のアクチュエータや、歪量が微小な薄膜サンプルの測定も可能です。
仕様
・周波数:1mHz~10kHz
・印加電圧:±10kV
・変位分解能:±0.01um
・波形:任意波形可能
標準仕様となります
ご要望に応じてカスタマイズ
が可能です
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